1TB Samsung 990 EVO - 5000MB/s
Максимальная скорость чтения, МБ/с5000
Номинальный объем, ГБ1000
Форм-фактор накопителяM.2 2280
Характеристики
Коммуникации, связь
Версия PCI-EPCIe 4.0 x4 w/NVMe
Тип интерфейсаPCI Express
Конструктивные особенности
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.1500
Суммарное число записываемых Байт (TBW), ТБ600
Ударостойкость при хранении, G1500
Основные характеристики
ИнтерфейсPCI-E
КонтроллерSamsung
Максимальная скорость записи, МБ/с4200
Максимальная скорость чтения, МБ/с5000
Назначениедля ноутбуков/компьютеров
Номинальный объем, ГБ1000
Поддержка NVMeДа
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format)Да
Позиционирование использованияDesktop
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS20
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS90
ТипВнутренний твердотельный накопитель
Тип буферной памятиHMB
Тип памятиV-NAND TLC
Форм-фактор накопителяM.2 2280
Прочие характеристики
Высота, мм4751
Глубина, мм26937
Комплект поставкиНакопитель, инструкция
ОсобенностиИнтерфейс PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe2.0
Ссылка на описаниеhttps://www.samsung.com/au/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-1tb-mz-v9e1t0bw/
Тип комплектацииRTL
Ударостойкость1500G/0.5мс
Ширина, мм2072
Энергопотребление при работе, max, Вт4.9